技术支持

当前位置:首页 > 技术支持

安博电竞中国官方网站下载地址·碳化硅SiC的高温氧化研究

浏览次数1 发布时间:2024-04-16 02:41:22来源:安博电竞主页 作者:安博电竞注册
  

  强度等优势,因此受到广泛关注和应用。高质量SiC氧化技术是SiC器件的关键核心工艺。通过不断优化SiC氧化工艺,可以进一步提高SiC功率器件的质量和性能,推动碳化硅功率器件在电动汽车等领域的广泛应用。

  近日,第九届国际第三代(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门召开。期间,“碳化硅功率器件及其封装技术”分会上,山东大学徐明升教授做了“SiC的高温氧化研究”的主题报告,分享了最新研究成果。涉及栅极氧化、沟槽MOS管等。

  SiC沟槽MOSFET具有优异的耐高压、大电流特性,器件开关损耗比Si基IGBT低约77%。SiC MOSFET器件的阈值电压漂移影响了其广泛的应用,其根本原因是栅极氧可靠性差,栅极氧化是影响SiC MOSFET器件广泛应用的关键问题。

  其中,高温氧化研究方面,报告给出了近界面陷阱的密度、界面陷阱电荷、TEM横截面图、栅极氧化物厚度均匀性等。沟槽MOS晶体管研究方面,涉及SEM俯视图、欧姆接触、器件性能等内容。研究结果显示, 4H-SiC在1250°C下的氧化,厚度~45nm。SiO2和SiC之间的NITs: ~ 1.68×1010 cm-2。击穿电场为9.7MV/cm,势垒高度为2.59eV。

  文章出处:【微信号:第三代半导体产业,微信公众号:第三代半导体产业】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  的5大优势 /

  ),通常被称为金刚砂,是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在,但其出现相对罕见。然而,自从1893年以来,粉状

  )的历史与应用 /

  具有载流子饱和速度高和热导率大的特点,应用开关频率可达到1MHz,在高频应用中优势明显,其中

  MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下

  操作、具有优良的导通电阻/片芯面积和开关损耗、快速开关等。最近,UnitedSiC采用常关型共源共栅的第三代

  充电器、电机和太阳能逆变器,不仅可以从这些新器件中受益匪浅,不仅在效率上,而且在尺寸上,可实现高功率、

  功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍

  MOSFET产业链介绍 /

  【米尔-全志T113-i开发板试用】JPG硬件编码的实现、YUV转换neon加速和对比测试


上一篇:硬实力!自治区首次!由我们创造!

下一篇:企业积极响应苏州喷水织造行业整治见实效