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安博电竞中国官方网站下载地址·东微半导:第五代超级结MOSFET进入批量验证 碳

浏览次数1 发布时间:2024-05-21 06:33:58来源:安博电竞主页 作者:安博电竞注册
  

  ①董秘李麟在业绩会上透露,公司高压超级结MOSFET已实现批量出货,同时,公司第五代超级结MOSFET技术研发进展顺利,已经进入批量验证阶段。②2022年东微半导SiC器件首次实现营业收入。国信证券等多家券商机构预计其未来有望进入加速放量阶段。

  《科创板日报》5月12日讯(记者 郭辉)功率半导体在过去一年市场中的结构性需求分化明显,其中以光伏逆变及储能、车载电子为代表的新能源领域需求持续高景气。

  有着“充电桩芯片第一股“之称的东微半导,尽管在上市前后被质疑其核心产品高压超级结MOSFET面临IGBT、碳化硅等方案的有力竞争,但在下游产业持续增长的背景下,该公司2022年度实现营收11.16亿,较上年同期增长 42.74%;归母净利润2.84亿元,同比大增93.57%。

  高压超级结MOSFET产品2022年卖得不错,全年实现营业收入9.14亿元,同比增长60.77%,并且批量出货比亚迪、凯斯库、中兴、通用电气、中车株洲等知名客户。

  今日的业绩会上,东微半导董秘李麟透露了相关业务最新进展。她表示,公司持续拓展基于第三代高压超级结MOSFET技术平台的产品规格,单晶圆产出芯片颗数提高,同时产品性能得到进一步提升。“公司高压超级结MOSFET已实现批量出货,同时,公司第五代超级结MOSFET技术研发进展顺利,已经进入批量验证阶段。”

  Tri-gate IGBT(TGBT)产品去年实现营业收入4461.27万元,同比增长685.21%。据了解,东微半导TGBT产品区别于国际主流IGBT技术的创新型器件,对其中关键技术参数进行了优化,不提高制造难度的前提下提升了功率密度,优化了内部载流子分布等。公司称,目前产品出货量增加,在手订单充足且供不应求。

  此外,2022年东微半导SiC器件首次实现营业收入。国信证券等多家券商机构预计其未来有望进入加速放量阶段。

  李麟在业绩会上表示,公司Si2C MOSFET产品由于部分使用了SiC衬底,减少了SiC材料的用量,具有独创的器件结构与优化的制造工艺,克服了传统SiC MOSFET成本高的问题,拥有较好的栅氧可靠性与高栅源耐压等技术优势。不过在《科创板日报》记者追问产品获客户认可的最新情况时,未获公司方面回复。

  从财报来看,2022年东微半导在全球性的需求增长中,优先保障了境内市场供应,境内销售规模同比增长46.00%,而境外收入则减少31.90%。

  东微半导在近期接受机构调研时表示,为应对未来更加复杂的市场变化,公司积极开拓海外市场。目前在欧洲市场进展良好,产品送测认证至电动工具、车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域,并实现了批量出货。除欧洲市场之外,公司开始开拓北美及东南亚市场。

  不过《科创板日报》今日上午在业绩会的规定时间内对公司海外市场策略,以及今年接下来的业务成长性等问题进行提问时,未获公司回应。


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