金刚砂

当前位置:首页 > 产品中心 > 金刚砂
安博电竞中国官方网站下载地址 化学气相沉积(CVD)技术!-《台风资讯

安博电竞中国官方网站下载地址 化学气相沉积(CVD)技术!-《台风资讯

来源:安博电竞主页 作者:安博电竞注册

15538711189

产品介绍

  是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。

  从理论上来说,它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子,它是由硅烷和氮反应形成的。

  化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术,其原理是利用气态的先驱反应物,通过原子、分子间化学反应,使得气态前驱体中的某些成分分解,而在基体上形成薄膜。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。不过随着技术的发展,CVD技术也不断推陈出新,出现了很多针对某几种用途的专门技术,在此特为大家介绍两种CVD技术。

  等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是在化学气相沉积中,激发气体,使其产生低温等离子体,增强反应物质的化学活性,从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上,通入反应气体至较低气压(1~600Pa),基体保持一定温度,以某种方式产生辉光放电,基体表面附近气体电离,反应气体得到活化,同时基体表面产生阴极溅射,从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应,还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有:射频激发,直流高压激发,脉冲激发和微波激发。

  等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低,对基体的结构和物理性质影响小;膜的厚度及成分均匀性好;膜组织致密、少;膜层的附着力强;应用范围广,可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。

  热丝CVD采用高温下的低压气相沉积,碳氢化合物在高温下发生化学反应,生成膜先驱物,当样品温度合适时,这些膜先驱物在样品表面沉积形成金刚砂膜。低压化学气相沉积形成的膜层厚度及成分较为均匀,膜层致密。

  热丝CVD的基本化学反应为加热分解化合物(化学键断裂),及光分解(利用辐射能使化合物化学键断裂)。灯丝(钨丝或钽丝)通电后加热到2000摄氏度,气体(氢气,甲烷)传输至灯丝处,分解形成碳氢活性集团,黏附扩散至样片附近,当样品温度在600-1000摄氏度时,碳氢活性集团发生反应形成晶核,晶核形成岛状物,岛状物形成连续膜层,反应副产物脱离样片表面,流出生长室。

  鹏城半导体研发设计制造了热丝CVD金刚石设备(热丝法化学气相沉积CVD),分为实验型设备和生产型设备两类。

  设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜的研发和生产。可用于力学级别、热学级别、光学级别、声学级别的金刚石产品的研发生产。


上一篇:绿城、保利这些豪宅地库超出了我的认知

下一篇:碳化硅特色工艺模块简介