产品介绍
是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。
化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基体上形成薄膜。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。不过随着技术的发展，CVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家介绍两种CVD技术。
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。
等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。
热丝CVD采用高温下的低压气相沉积，碳氢化合物在高温下发生化学反应，生成膜先驱物，当样品温度合适时，这些膜先驱物在样品表面沉积形成金刚砂膜。低压化学气相沉积形成的膜层厚度及成分较为均匀，膜层致密。
热丝CVD的基本化学反应为加热分解化合物（化学键断裂），及光分解（利用辐射能使化合物化学键断裂）。灯丝（钨丝或钽丝）通电后加热到2000摄氏度，气体（氢气，甲烷）传输至灯丝处，分解形成碳氢活性集团，黏附扩散至样片附近，当样品温度在600-1000摄氏度时，碳氢活性集团发生反应形成晶核，晶核形成岛状物，岛状物形成连续膜层，反应副产物脱离样片表面，流出生长室。
鹏城半导体研发设计制造了热丝CVD金刚石设备（热丝法化学气相沉积CVD），分为实验型设备和生产型设备两类。
设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜的研发和生产。可用于力学级别、热学级别、光学级别、声学级别的金刚石产品的研发生产。
