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8月4日，功率半导体领先企业英飞凌在披露第三季度财报后，宣布将马来西亚Kulim工厂扩建作为重点投资项目之一。据报道，该公司计划在当地建设全球最大的8寸碳化硅功率厂。英飞凌表示，Kulim工厂的扩建计划已获得价值约50亿欧元（约合391亿元人民币）的合同。
碳化硅(SiC)又名碳硅石、金刚砂，是一种无机物，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅(SiC)主要应用于磨具磨料、冶金原料、半导体器件等领域，其中，在半导体器件领域，碳化硅是第三代半导体材料的代表之一。
第三代半导体材料引发全球瞩目，碳化硅成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点，美、日、欧等国都在积极进行战略部署。当前，国际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性量产的成功跨越，并进入产业化快速发展阶段，在新能源汽车、高速轨道交通、5G通信、光伏并网、消费类电子等多个重点领域实现了应用突破。2020年以来，发达国家纷纷将半导体技术和产业上升到战略层面，考虑以国家级力量进行技术研发、产业链发展、原材料、生产制造等度、全方位的部署。
随着技术的成熟以及下游需求的快速增长，近年来全球各企业加速布局碳化硅行业，相继推出多款产品。从晶体管(SiC MOSFET)来看，2021年国际上共有10余家公司推出超过200款SiC MOSFET系列产品，击穿电压基本集中在650V和1200V。
从射频器件来看，据CASA数据显示，目前在售GaN射频器件和功率放大器超过500款。GaN射频器件最高工作频率18GHz(Wolfspeed)，输出功率最高达到1862W(Qorvo，1.0-1.1GHz)。其中，SiC基GaN器件是射频市场主流产品和技术解决方案。
根据第三代半导体产业技术创新战略联盟数据，至2020年底，全球碳化硅功率器件的市场规模为7.03亿美元，GaN射频器件市场规模为8.3亿美元。同时，GaN射频器件主要基于碳化硅(SiC)、硅(Si)等异质衬底外延材料制备，相较于硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延优势明显，根据Yole报告，目前90%左右的GaN射频器件采用碳化硅衬底制备，2021年全球碳化硅器件市场规模已经超过20亿美元。
2020年全球第三代半导体产业在美国的逆全球化举措下发生了巨大的波动，抢占半导体产业竞争格局的制高点成为全球各国的共同诉求和投入方向，由此可以预见未来几年，全球半导体领域的资源、人才竞争将进入白热化阶段。5G、入工智能、新能源等发展提速，对碳化硅需求猛增，产业的关注度日益增高，国产化替代成为发展趋势。预计未来几年中国碳化硅产业将持续以两位数增长幅度增长，2027年器件市场规模将突破700亿元。
摩根士丹利认为，碳化硅(SiC)器件是下一代电力电子技术的关键组成部分，具有高温、高频、高压、高功率密度等优势。该公司预计，碳化硅市场规模将在未来几年中快速增长，并成为电动汽车、太阳能逆变器和工业电源等应用领域的主要驱动力。
美林证券指出碳化硅(SiC)器件具有低能耗、高效率、高温工作和高速开关等特点，将在电动汽车、太阳能逆变器和工业电力等领域取得广泛应用。该公司预计，碳化硅市场规模将在未来几年中以每年超过30%的速度增长。
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国碳化硅（SiC）行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》
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