金刚砂

当前位置:首页 > 产品中心 > 金刚砂
安博电竞中国官方网站下载地址 车规级!碳化硅(SiC)MOSFET正式开启量产交

安博电竞中国官方网站下载地址 车规级!碳化硅(SiC)MOSFET正式开启量产交

来源:安博电竞主页 作者:安博电竞注册

15538711189

产品介绍

  据介绍,瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V,可提升应用兼容性,简化应用系统设计。在产品结构上,第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET,但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计,使器件比导通电阻降低约25%,并显著降低开关损耗,提升系统效率。

  同时,第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性,在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试中等评估中表现优良。

  据了解,瞻芯电子将在2023年陆续推出更多规格类型的第二代SiC MOSFET,耐压等级包括650V/750V/1200V/1700V,导通电阻覆盖14mΩ-50Ω,并且大都采用车规级标准设计。

  据官方介绍,瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技,2017年成立于上海临港。公司致力于开发SiC功率器件、驱动和控制芯片、SiC功率模块产品,并围绕SiC应用,为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。

  官方资料显示,瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司,并建成了一座车规级SiC晶圆厂,标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型,进入中国领先SiC功率半导体公司行列。

  文章出处:【微信号:today_semicon,微信公众号:今日半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  )即使在高达1400℃的温度下,仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。

  并不例外新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段,有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然,随着

  对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个


上一篇:车企自研碳化硅模块更有“性价比”的选择

下一篇:碳化硅特色工艺模块简介