产品介绍
据介绍，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。
同时，第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试中等评估中表现优良。
据了解，瞻芯电子将在2023年陆续推出更多规格类型的第二代SiC MOSFET，耐压等级包括650V/750V/1200V/1700V，导通电阻覆盖14mΩ-50Ω，并且大都采用车规级标准设计。
据官方介绍，瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技，2017年成立于上海临港。公司致力于开发SiC功率器件、驱动和控制芯片、SiC功率模块产品，并围绕SiC应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。
官方资料显示，瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，并建成了一座车规级SiC晶圆厂，标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型，进入中国领先SiC功率半导体公司行列。
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）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。
并不例外新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然，随着
对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个
